ZH619A0_CN.pdf特点和优势
输出电流能力IO+0.3A/-0.5A
逻辑输入电平兼容3.3V/5V/15V
内置欠压保护功能
驱动高边和低边N沟道功率MOSFET
内置死区控制电路(典型100ns)
高端悬浮自举电源设计，耐压可达625V
高边输出与高边输入同相
低边输出与低边输入同相
订货信息
| 器件型号 | 封装形式 | 丝印 |
|---|---|---|
| ZH619A0 | SOP8 | ZH619A0 |
产品应用
ZH619A0
ZH619A0是用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的 N沟道功率 MOSFET 或 IGBT,其工作电压高达 600V. ZH619A0 具有高边和低边输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉传导。高低边的输出由输入独立控制，高边和低边均设置了欠压保护功能。
